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2548163Immagine W949D6DBHX5E TR.Winbond Electronics Corporation

W949D6DBHX5E TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W949D6DBHX5E TR
  • Costruttore / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    W949D6DBHX5E TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    60-TFBGA
  • Altri nomi
    W949D6DBHX5E TR-ND
    W949D6DBHX5ETR
  • temperatura di esercizio
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Tempo di accesso
    5ns

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Pagamento
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Descrizione: IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA

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Descrizione: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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