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4335571Immagine W9825G2JB-75.Winbond Electronics Corporation

W9825G2JB-75

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W9825G2JB-75
  • Costruttore / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    W9825G2JB-75.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    90-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    133MHz
  • Tempo di accesso
    5.4ns

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Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
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W9825G2JB-75 TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
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W9816G6JH-6I TR

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Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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