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5998810Immagine W987D2HBJX6I.Winbond Electronics Corporation

W987D2HBJX6I

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W987D2HBJX6I
  • Costruttore / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    W987D2HBJX6I.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    90-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    5.4ns

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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX7E TR

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

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W987D6HBGX6E

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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