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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W9864G6KH-6
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3102500Immagine W9864G6KH-6.Winbond Electronics Corporation

W9864G6KH-6

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W9864G6KH-6
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    5ns
W9864G2JB-6I TR

W9864G2JB-6I TR

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9864G6JH-6I

W9864G6JH-6I

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9864G6KH-5

W9864G6KH-5

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9864G2JH-6 TR

W9864G2JH-6 TR

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9864G6KH-6I TR

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9864G6JH-5

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W987D2HBJX7E

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6I

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-5 TR

W9864G6KH-5 TR

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6IH-6

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6 TR

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX6E

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6JT-6

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX6I

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6JB-6

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9864G2JH-6

W9864G2JH-6

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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