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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W988D6FBGX6E
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2929324Immagine W988D6FBGX6E.Winbond Electronics Corporation

W988D6FBGX6E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W988D6FBGX6E
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    54-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    5.4ns
W98AD2KBJX6E

W98AD2KBJX6E

Descrizione: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W987D6HBGX6I TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W989D6DBGX6I

W989D6DBGX6I

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W989D2DBJX6I TR

W989D2DBJX6I TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W989D2DBJX6I

W989D2DBJX6I

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX6I TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX6I

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D6FBGX6E TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W989D6DBGX6I TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX7E TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W988D6FBGX7E

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX6E TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX6E

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W988D6FBGX6I TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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