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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W989D2DBJX6I
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6747477Immagine W989D2DBJX6I.Winbond Electronics Corporation

W989D2DBJX6I

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W989D2DBJX6I
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    90-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    5ns
W98AD6KBGX6E

W98AD6KBGX6E

Descrizione: IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W989D6DBGX6I

W989D6DBGX6I

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W98AD2KBJX6I TR

W98AD2KBJX6I TR

Descrizione: 1GB MSDR X32 166MHZ IND

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W98AD6KBGX6E TR

W98AD6KBGX6E TR

Descrizione: 1GB MSDR X16 166MHZ

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W989D6DBGX6I TR

W989D6DBGX6I TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W98AD2KBJX6I

W98AD2KBJX6I

Descrizione: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W98AD2KBJX6E

W98AD2KBJX6E

Descrizione: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W989D2DBJX6I TR

W989D2DBJX6I TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W98AD2KBJX6E TR

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Descrizione: 1GB MSDR X32 166MHZ

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D6FBGX7E

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D6FBGX6I

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W98AD6KBGX6I

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Descrizione: 1GB MSDR X16 166MHZ IND

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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