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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4006FFG
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Italia
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437551Immagine 1N4006FFG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4006FFG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4006FFG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1N4006FFG.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.1V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Axial
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Altri nomi
    1N4006FFGOSCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 1A Through Hole Axial
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    1N4006

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Pagamento
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1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006FF

1N4006FF

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4006G

1N4006G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4006G A0G

1N4006G A0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006-TP

1N4006-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
1N4006-N-2-3-AP

1N4006-N-2-3-AP

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
1N4006-T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N4006E-E3/73

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4006-N-2-4-AP

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
1N4006G-T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N4006G R0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006G R1G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006-N-2-2-BP

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
1N4006G B0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006B-G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Comchip Technology
In magazzino
RFQ
1N4006GHA0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006G

1N4006G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In magazzino
RFQ
1N4006/54

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4006G BK

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Descrizione: DIODE GEN PURPOSE DO41

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
RFQ
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