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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N4006G-T
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Italia
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3543167Immagine 1N4006G-T.Diodes Incorporated

1N4006G-T

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4006G-T
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-41
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    2µs
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Altri nomi
    1N4006G
    1N4006GDITR
    1N4006GT
    1N4006GTR
    1N4006GTR-ND
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Numero di parte base
    1N4006
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4006G

1N4006G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In magazzino
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N4006G BK

1N4006G BK

Descrizione: DIODE GEN PURPOSE DO41

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
1N4006G A0G

1N4006G A0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4006FF

1N4006FF

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4006FFG

1N4006FFG

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4006GP

1N4006GP

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
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1N4006G

1N4006G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N4006E-E3/73

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N4006GHA0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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1N4006G R0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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