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2607136Immagine 1N4006GHA0G.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N4006GHA0G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N4006GHA0G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1N4006GHA0G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-204AL (DO-41)
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Pagamento
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1N4006G A0G

1N4006G A0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006G

1N4006G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In magazzino
RFQ
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N4006G-T

1N4006G-T

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N4006GP

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

Descrizione: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4006FF

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4006G R1G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006FFG

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4006G BK

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Descrizione: DIODE GEN PURPOSE DO41

Produttori: Central Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4006GHB0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006GP-M3/54

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
In magazzino
RFQ
1N4006G

1N4006G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N4006GP-E3/54

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4006GP-E3/73

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
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