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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SA1179N6-TB-E
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2022118Immagine 2SA1179N6-TB-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SA1179N6-TB-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SA1179N6-TB-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 50V 0.15A CP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SA1179N6-TB-E.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-CP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    180MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 180MHz 200mW Surface Mount 3-CP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    135 @ 1mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    150mA

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Descrizione: TRANS PNP 50V 0.15A CP

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Descrizione: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

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Descrizione: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI

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Descrizione: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

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