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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SA1163-GR,LF
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2SA1163-GR,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SA1163-GR,LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SA1163-GR,LF.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    120V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    S-Mini
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    2SA1163-GR(TE85L,F
    2SA1163-GR(TE85LF
    2SA1163-GR(TE85LF-ND
    2SA1163-GR(TE85LFTR
    2SA1163-GR(TE85LFTR-ND
    2SA1163-GR,LF(B
    2SA1163-GR,LF(T
    2SA1163-GRLFTR
    2SA1163-GRTE85LF
    2SA1163GRT5LFT
    2SA1163GRT5LFT-ND
  • temperatura di esercizio
    125°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount S-Mini
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Pagamento
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