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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SA1162YT1
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3345048Immagine 2SA1162YT1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SA1162YT1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SA1162YT1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2SA1162YT1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-59
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    80MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount SC-59
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    150mA
  • Numero di parte base
    2SA1162

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