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5106107Immagine 2SC5415AF-TD-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC5415AF-TD-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC5415AF-TD-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC5415AF-TD-E.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    12V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PCP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    800mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    9dB
  • Frequenza - transizione
    6.7GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW Surface Mount PCP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    90 @ 30mA, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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