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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC5439(F)
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3102446Immagine 2SC5439(F).Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC5439(F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 450V 8A TO220NIS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC5439(F).pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    450V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 640mA, 3.2A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220NIS
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 8A 2W Through Hole TO-220NIS
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    14 @ 1A, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    8A

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Descrizione: RF TRANSISTOR NPN SOT-143

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Descrizione: TRANS NPN BIPO 0.1A 12V

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Descrizione: TRANS NPN 0.1A 12V

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