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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2V7002WT1G
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3601413Immagine 2V7002WT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2V7002WT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2V7002WT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2V7002WT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-70-3 (SOT323)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    280mW (Tj)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    2V7002WT1G-ND
    2V7002WT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    36 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    24.5pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 310mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    310mA (Ta)

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