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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 5LN01SP-AC
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1717526Immagine 5LN01SP-AC.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

5LN01SP-AC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    5LN01SP-AC
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 50V 100MA SPA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    5LN01SP-AC.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.3V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-SPA
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.8 Ohm @ 50mA, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    250mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SC-72
  • Altri nomi
    5LN01SP-ACOSCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6.6pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.57nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Through Hole 3-SPA
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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