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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 5LN01SS-TL-H
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5LN01SS-TL-H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    5LN01SS-TL-H
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    5LN01SS-TL-H.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-SSFP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.8 Ohm @ 50mA, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-81
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6.6pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.57nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-SSFP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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