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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDC3535
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2409275Immagine FDC3535.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC3535

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDC3535
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDC3535.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SuperSOT™-6
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    183 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.6W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Altri nomi
    FDC3535CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    30 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    880pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 80V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.1A (Ta)

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Descrizione: IC CTRLR SUPER I/O ENH 128-QFP

Produttori: Micrel / Microchip Technology
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Descrizione: MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

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