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4190241Immagine FDC3601N.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC3601N

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDC3601N
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDC3601N.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SuperSOT™-6
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    500 mOhm @ 1A, 10V
  • Potenza - Max
    700mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Altri nomi
    FDC3601N-ND
    FDC3601NTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    153pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1A

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