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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDC637BNZ

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Immagine FDC637BNZ.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC637BNZ

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Specifiche

Modello di prodotti

FDC637BNZ
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDC637BNZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi

FDC637BNZDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

895pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta)

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