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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDMC4435BZ-F126
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3929665Immagine FDMC4435BZ-F126.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC4435BZ-F126

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMC4435BZ-F126
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 8.5A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDMC4435BZ-F126.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-MLP (3.3x3.3)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.3W (Ta), 31W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerWDFN
  • Altri nomi
    FDMC4435BZ-F126TR
    FDMC4435BZ_F126
    FDMC4435BZ_F126TR
    FDMC4435BZ_F126TR-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    39 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2045pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Ta), 18A (Tc)

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