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Immagine FDMC6675BZ.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC6675BZ

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMC6675BZ
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMC6675BZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

14.4 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

FDMC6675BZCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2865pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

P-Channel 30V 9.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 20A (Tc)

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