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Immagine FDMD8240L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMD8240L

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMD8240L
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 40V 23A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMD8240L.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

12-Power3.3x5
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

2.6 mOhm @ 23A, 10V
Potenza - Max

2.1W
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

12-PowerWDFN
Altri nomi

FDMD8240LDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4230pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 23A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

23A

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