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Immagine FDMD8260LET60.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMD8260LET60

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMD8260LET60
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 60V 15A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMD8260LET60.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

12-Power3.3x5
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

5.8 mOhm @ 15A, 10V
Potenza - Max

1.1W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

12-PowerWDFN
Altri nomi

FDMD8260LET60TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5245pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

15A

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