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1934377Immagine FDMQ8203.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMQ8203

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMQ8203
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDMQ8203.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    12-MLP (5x4.5)
  • Serie
    GreenBridge™ PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    110 mOhm @ 3A, 10V
  • Potenza - Max
    2.5W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    12-WDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    FDMQ8203CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    210pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V, 80V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.4A, 2.6A
  • Numero di parte base
    FDMQ8203

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