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1113146Immagine FDMS003N08C.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMS003N08C

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDMS003N08C
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    FET ENGR DEV-NOT REL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FDMS003N08C.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 310µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Power56
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.1 mOhm @ 56A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.7W (Ta), 125W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5350pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    73nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 22A (Ta), 147A (Tc) 2.7W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Power56
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    22A (Ta), 147A (Tc)

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Produttori: Fairchild/ON Semiconductor
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