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FDMS3016DC

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Specifiche

Modello di prodotti

FDMS3016DC
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDMS3016DC.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

Dual Cool™56
Serie

Dual Cool™, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

6 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Ta), 60W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

FDMS3016DC-ND
FDMS3016DCTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 18A (Ta), 49A (Tc) 3.3W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 49A (Tc)

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