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5327506Immagine FDS4559-F085.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS4559-F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDS4559-F085
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDS4559-F085.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    55 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    FDS4559-F085TR
    FDS4559_F085
    FDS4559_F085-ND
    FDS4559_F085TR
    FDS4559_F085TR-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.5A, 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.5A, 3.5A

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