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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDS4895C

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Immagine FDS4895C.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS4895C

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS4895C
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS4895C.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

39 mOhm @ 5.5A, 10V
Potenza - Max

900mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 40V 5.5A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 4.4A

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