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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDS5170N7

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Immagine FDS5170N7.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS5170N7

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS5170N7
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS5170N7.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

12 mOhm @ 10.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

FDS5170N7DKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2889pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta)

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