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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > FDS4935A

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Immagine FDS4935A.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS4935A

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS4935A
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS4935A.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max

900mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

FDS4935ATR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1233pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7A

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