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FDS8958B_G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDS8958B_G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    540pF @ 15V, 760pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.4A, 4.5A

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