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Immagine FDS8949-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8949-F085

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS8949-F085
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS8949-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

29 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max

2W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

FDS8949-F085TR
FDS8949_F085
FDS8949_F085TR
FDS8949_F085TR-ND
FDS8949F085
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

955pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A

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