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Immagine FDS8978.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8978

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Specifiche

Modello di prodotti

FDS8978
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDS8978.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs

18 mOhm @ 7.5A, 10V
Potenza - Max

1.6W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

FDS8978-ND
FDS8978TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1270pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

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