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Immagine FDU7N60NZTU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDU7N60NZTU

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Specifiche

Modello di prodotti

FDU7N60NZTU
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FDU7N60NZTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

UniFET-II™
Rds On (max) a Id, Vgs

1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

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