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561866Immagine FDU8770_F071.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDU8770_F071

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDU8770_F071
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDU8770_F071.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    IPAK (TO-251)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4 mOhm @ 35A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    115W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3720pF @ 13V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    73nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    25V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 25V 35A (Tc) 115W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

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