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Immagine FGA40N65SMD.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA40N65SMD

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Specifiche

Modello di prodotti

FGA40N65SMD
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 650V 80A 349W TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGA40N65SMD.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.5V @ 15V, 40A
Condizione di test

400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

12ns/92ns
di scambio energetico

820µJ (on), 260µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-3PN
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

42ns
Potenza - Max

349W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi

FGA40N65SMD-ND
FGA40N65SMDFS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Field Stop
carica gate

119nC
Descrizione dettagliata

IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

120A
Corrente - collettore (Ic) (max)

80A

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