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Immagine FGA50N100BNTD2.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

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Specifiche

Modello di prodotti

FGA50N100BNTD2
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FGA50N100BNTD2.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1000V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.9V @ 15V, 60A
Condizione di test

600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

34ns/243ns
di scambio energetico

-
Contenitore dispositivo fornitore

TO-3P
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

75ns
Potenza - Max

156W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

NPT and Trench
carica gate

257nC
Descrizione dettagliata

IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

200A
Corrente - collettore (Ic) (max)

50A

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