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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > FJV3111RMTF
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FJV3111RMTF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FJV3111RMTF
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    40V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
FJV4104RMTF

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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJV3101RMTF

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FJV3103RMTF

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FJV3109RMTF

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV3102RMTF

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

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FJV3106RMTF

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FJV4102RMTF

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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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FJV3107RMTF

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV3110RMTF

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FJV3115RMTF

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FJV4105RMTF

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FJV3113RMTF

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FJV3112RMTF

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