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FJV3113RMTF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FJV3113RMTF
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.FJV3113RMTF.pdf
    2.FJV3113RMTF.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    FJV3113RMTFDKR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    FJV3113

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