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FSB660

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FSB660
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 60V 2A SSOT-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.FSB660.pdf
    2.FSB660.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    350mV @ 200mA, 2A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-SSOT
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    500mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    75MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A
  • Numero di parte base
    FSB660

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Pagamento
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Descrizione: TRANS NPN 25V 3A SSOT-3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN 60V 2A SSOT-3

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FSB660A

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Descrizione: TRANS PNP 60V 2A SSOT-3

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