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FSB660A

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Specifiche

Modello di prodotti

FSB660A
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 60V 2A SSOT-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.FSB660A.pdf
2.FSB660A.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

3-SSOT
Serie

-
Potenza - Max

500mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

FSB660A-ND
FSB660ATR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

29 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

75MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

2A
Numero di parte base

FSB660

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