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FW906-TL-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FW906-TL-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A 8SOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FW906-TL-E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    24 mOhm @ 8A, 10V
  • Potenza - Max
    2.5W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    690pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2.5W Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A, 6A

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