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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SIF902EDZ-T1-E3
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2576931Immagine SIF902EDZ-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIF902EDZ-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIF902EDZ-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIF902EDZ-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® (2x5)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    22 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.6W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® 2x5
  • Altri nomi
    SIF902EDZ-T1-E3DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7A
  • Numero di parte base
    SIF902E

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: Nexperia
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