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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > HGTG20N60A4D

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Immagine HGTG20N60A4D.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

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Specifiche

Modello di prodotti

HGTG20N60A4D
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 600V 70A 290W TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

HGTG20N60A4D.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.7V @ 15V, 20A
Condizione di test

390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

15ns/73ns
di scambio energetico

105µJ (on), 150µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

35ns
Potenza - Max

290W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

HGTG20N60A4D-ND
HGTG20N60A4D_NL
HGTG20N60A4D_NL-ND
HGTG20N60A4DFS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

-
carica gate

142nC
Descrizione dettagliata

IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

280A
Corrente - collettore (Ic) (max)

70A
Numero di parte base

HGTG20N60

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Metodi di pagamento

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