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Immagine HGTG30N60A4.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG30N60A4

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Specifiche

Modello di prodotti

HGTG30N60A4
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 600V 75A 463W TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

HGTG30N60A4.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.6V @ 15V, 30A
Condizione di test

390V, 30A, 3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

25ns/150ns
di scambio energetico

280µJ (on), 240µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247-3
Serie

-
Potenza - Max

463W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

HGTG30N60A4_NL
HGTG30N60A4_NL-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

-
carica gate

225nC
Descrizione dettagliata

IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

240A
Corrente - collettore (Ic) (max)

75A
Numero di parte base

HGTG30N60

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