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2949896Immagine NHPD660T4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NHPD660T4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NHPD660T4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NHPD660T4G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    3V @ 6A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    30ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NHPD660T4G-ND
    NHPD660T4GOSTR
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    5 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    30µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    6A
  • Capacità a Vr, F
    -

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