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2596043Immagine NHPM120T3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NHPM120T3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NHPM120T3G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NHPM120T3G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Powermite
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    25ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-216AA
  • Altri nomi
    NHPM120T3GOSCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount Powermite
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    500nA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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