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Immagine NLAS3699MN1R2G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NLAS3699MN1R2G

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Specifiche

Modello di prodotti

NLAS3699MN1R2G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NLAS3699MN1R2G.pdf
Modello ECAD
Alimentazione di tensione, singola (V +)

1.65 V ~ 4.5 V
Alimentazione di tensione, Dual (V ±)

-
Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

50ns, 50ns
Circuito di commutazione

DPDT
Contenitore dispositivo fornitore

16-QFN (3x3)
Serie

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

16-VFQFN Exposed Pad
Altri nomi

NLAS3699MN1R2G-ND
NLAS3699MN1R2GOSTR
temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)
Resistenza sullo stato (Max)

550 mOhm
Numero di circuiti

2
Circuito di Multiplexer / Demultiplexer

2:2
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

2 Circuit IC Switch 2:2 550 mOhm 16-QFN (3x3)
Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo)

500nA
crosstalk

-62dB @ 100kHz
Iniezione di carica

50pC
Corrispondenza canale-canale (ΔRon)

50 mOhm
Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato)

7pF
Numero di parte base

NLAS3699
-3 dB Larghezza di banda

20MHz

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