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510658Immagine NLAS3799MNR2G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NLAS3799MNR2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NLAS3799MNR2G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SWITCH DUAL DPDT 16WQFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NLAS3799MNR2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Alimentazione di tensione, singola (V +)
    1.65 V ~ 3.6 V
  • Alimentazione di tensione, Dual (V ±)
    -
  • Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)
    50ns, 30ns
  • Circuito di commutazione
    DPDT
  • Contenitore dispositivo fornitore
    16-WQFN (1.8x2.6)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    16-WFQFN
  • Altri nomi
    NLAS3799MNR2G-ND
    NLAS3799MNR2GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Resistenza sullo stato (Max)
    400 mOhm
  • Numero di circuiti
    2
  • Circuito di Multiplexer / Demultiplexer
    2:2
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    2 Circuit IC Switch 2:2 400 mOhm 16-WQFN (1.8x2.6)
  • Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo)
    500nA
  • crosstalk
    -90dB @ 100kHz
  • Iniezione di carica
    42pC
  • Corrispondenza canale-canale (ΔRon)
    50 mOhm (Max)
  • Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato)
    3pF
  • Numero di parte base
    NLAS3799
  • -3 dB Larghezza di banda
    19MHz

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